IRFI4227PBF
工場モデル | IRFI4227PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP |
パッケージ | TO-220AB Full-Pak |
株式 | 70584 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020POD Datasheet Update 6/Apr/2017Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.167 | $1.046 | $0.857 | $0.73 | $0.616 | $0.585 | $0.563 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25mOhm @ 17A, 10V |
電力消費(最大) | 46W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 26A (Tc) |
基本製品番号 | IRFI4227 |
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