Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFI4227PBF
IRFI4227PBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFI4227PBF

工場モデル IRFI4227PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
パッケージ TO-220AB Full-Pak
株式 70584 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020POD Datasheet Update 6/Apr/2017Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.167 $1.046 $0.857 $0.73 $0.616 $0.585 $0.563
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。70584のInfineon Technologies IRFI4227PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB Full-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 25mOhm @ 17A, 10V
電力消費(最大) 46W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4600 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 26A (Tc)
基本製品番号 IRFI4227

おすすめ商品

IRFI4227PBF データテーブルPDF

データシート