IRFHM8363TRPBF
| 工場モデル | IRFHM8363TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| 株式 | 240887 pcs |
| データシート | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013Package Drawing Update 19/Aug/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.431 | $0.386 | $0.301 | $0.249 | $0.196 | $0.183 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2.7W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1165pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRFHM8363 |
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