IRFHM830TRPBF
| 工場モデル | IRFHM830TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| 株式 | 271706 pcs |
| データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015Assembly Site Retraction 01/Jul/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.341 | $0.306 | $0.238 | $0.197 | $0.155 | $0.145 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2155 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFHM830 |
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