IRFHM9391TRPBF
| 工場モデル | IRFHM9391TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| 株式 | 4092 pcs |
| データシート | IRFHM9391TRPBFPacking Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Warehouse Transfer 29/Jul/2015Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Devices EOL 08/May/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.6mOhm @ 11A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.6W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1543 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
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