IRFHS8242TRPBF
工場モデル | IRFHS8242TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN |
パッケージ | 6-PQFN (2x2) (DFN2020) |
株式 | 553058 pcs |
データシート | Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Warehouse Transfer 29/Jul/2015Package Drawing Update 19/Aug/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.206 | $0.175 | $0.13 | $0.103 | $0.079 | $0.072 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 25µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) (DFN2020) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 13mOhm @ 8.5A, 10V |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 653 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
基本製品番号 | IRFHS8242 |
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