IRFH8337TRPBF
| 工場モデル | IRFH8337TRPBF |
|---|---|
| メーカー | International Rectifier |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN |
| パッケージ | PQFN (5x6) |
| 株式 | 6323 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.8mOhm @ 16.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 27W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 35A (Tc) |
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