IRFHE4250DTRPBF
| 工場モデル | IRFHE4250DTRPBF |
|---|---|
| メーカー | International Rectifier |
| 詳細な説明 | HEXFET POWER MOSFET |
| パッケージ | 32-PQFN (6x6) |
| 株式 | 58412 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 156 |
|---|
| $0.679 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 32-PQFN (6x6) |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V |
| 電力 - 最大 | 156W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 32-PowerVFQFN |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 86A (Tc), 303A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRFHE4250 |
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