Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFS4228TRLPBF
IRFS4228TRLPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFS4228TRLPBF

工場モデル IRFS4228TRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 5306 pcs
データシート IRFS(L)4228PbFMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014Material Chg 24/Nov/2015
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5306のInfineon Technologies IRFS4228TRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 15mOhm @ 33A, 10V
電力消費(最大) 330W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4530 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 107 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 83A (Tc)

おすすめ商品

IRFS4228TRLPBF データテーブルPDF

データシート