Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFS4127TRLPBF
IRFS4127TRLPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFS4127TRLPBF

工場モデル IRFS4127TRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 30723 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Material Chg 24/Nov/2015Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022Multiple Changes 06/Oct/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$1.454 $1.306 $1.07
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。30723のInfineon Technologies IRFS4127TRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 22mOhm @ 44A, 10V
電力消費(最大) 375W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5380 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 150 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 72A (Tc)
基本製品番号 IRFS4127

おすすめ商品

IRFS4127TRLPBF データテーブルPDF

データシート