Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFS3607TRLPBF

工場モデル IRFS3607TRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 96223 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$0.646 $0.577 $0.45
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。96223のInfineon Technologies IRFS3607TRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 100µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 9mOhm @ 46A, 10V
電力消費(最大) 140W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3070 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 84 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 75 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
基本製品番号 IRFS3607

おすすめ商品

IRFS3607TRLPBF データテーブルPDF

データシート