IRFS4610PBF
工場モデル | IRFS4610PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK |
パッケージ | D2PAK |
株式 | 6227 pcs |
データシート | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014Material Chg 24/Nov/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14mOhm @ 44A, 10V |
電力消費(最大) | 190W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3550 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 73A (Tc) |
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