IRFS4010PBF
工場モデル | IRFS4010PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
パッケージ | D2PAK |
株式 | 5049 pcs |
データシート | Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Pkg Type Disc 16/May/2016Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMaterial Chg 24/Nov/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015Multiple Changes 06/Oct/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.7mOhm @ 106A, 10V |
電力消費(最大) | 375W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9575 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 215 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Tc) |
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