Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4310ZTRLPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFS4310ZTRLPBF

工場モデル IRFS4310ZTRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 47421 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$1.143 $1.027 $0.841
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。47421のInfineon Technologies IRFS4310ZTRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 150µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大) 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6860 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 170 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
基本製品番号 IRFS4310

おすすめ商品

IRFS4310ZTRLPBF データテーブルPDF

データシート