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IRFS38N20DPBF

工場モデル IRFS38N20DPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 4931 pcs
データシート Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemMult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018Material Chg 24/Nov/2015D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4931のInfineon Technologies IRFS38N20DPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 54mOhm @ 26A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2900 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 91 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 43A (Tc)

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