IRFI530NPBF
| 工場モデル | IRFI530NPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP |
| パッケージ | TO-220AB Full-Pak |
| 株式 | 126174 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Tube Pkg MOQ Standardization 28/Jul/2017IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020POD Datasheet Rev 28/Apr/2017Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.721 | $0.643 | $0.501 | $0.414 | $0.327 | $0.305 | $0.29 | $0.279 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 6.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 41W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 640 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFI530 |
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