IRF7603TRPBF
工場モデル | IRF7603TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
パッケージ | Micro8™ |
株式 | 6245 pcs |
データシート | IRF7603PbFIR Part Numbering SystemMultiple Devices 19/Jun/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 3.7A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 520 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.6A (Ta) |
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