IRF7606TRPBF
工場モデル | IRF7606TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 |
パッケージ | Micro8™ |
株式 | 236498 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.378 | $0.331 | $0.254 | $0.201 | $0.161 | $0.146 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 90mOhm @ 2.4A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 520 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A (Ta) |
基本製品番号 | IRF7606 |
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