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IRF7701GTRPBF

工場モデル IRF7701GTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 4579 pcs
データシート IRF7701GPBFIR Part Numbering SystemGen 8 Rev2 08/Jul/2011
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4579のInfineon Technologies IRF7701GTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 11mOhm @ 10A, 4.5V
電力消費（最大） 1.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5050 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 100 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta)

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