IRF7700TR
工場モデル | IRF7700TR |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 4292 pcs |
データシート | IRF7700IR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15mOhm @ 8.6A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4300 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 89 nC @ 5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.6A (Tc) |
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