Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF7601TRPBF
IRF7601TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF7601TRPBF

工場モデル IRF7601TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
パッケージ Micro8™
株式 6490 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6490のInfineon Technologies IRF7601TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 700mV @ 250µA (Min)
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Micro8™
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
電力消費(最大) 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 650 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 22 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.7A (Ta)
基本製品番号 IRF7601

おすすめ商品

IRF7601TRPBF データテーブルPDF

データシート