Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF7523D1TRPBF
IRF7523D1TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF7523D1TRPBF

工場モデル IRF7523D1TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
パッケージ Micro8™
株式 4432 pcs
データシート IRF7523D1PBFIR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4432のInfineon Technologies IRF7523D1TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Micro8™
シリーズ FETKY™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 130mOhm @ 1.7A, 10V
電力消費（最大） 1.25W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 210 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 12 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.7A (Ta)

おすすめ商品

IRF7523D1TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRF7523D1TRPBFに関連した語彙

IRF7523D1TRPBF関連コンポーネント