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IRF7663TRPBF

工場モデル IRF7663TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
パッケージ Micro8™
株式 6546 pcs
データシート IRF7663PbFIR Part Numbering SystemGen 8 Rev2 08/Jul/2011
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6546のInfineon Technologies IRF7663TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Micro8™
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 20mOhm @ 7A, 4.5V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2520 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.2A (Ta)

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