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IRF7342D2TRPBF

工場モデル IRF7342D2TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
パッケージ 8-SO
株式 6553 pcs
データシート IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015PMD Mosfets Obs 04/Jun/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6553のInfineon Technologies IRF7342D2TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 105mOhm @ 3.4A, 10V
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Cut Tape (CT)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 690 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 38 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.4A (Ta)

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