IRF7342D2PBF
| 工場モデル | IRF7342D2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 5156 pcs |
| データシート | Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015PMD Mosfets Obs 04/Jun/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | FETKY™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 690 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) |
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