Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > IRF7329TR
IRF7329TR Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF7329TR

工場モデル IRF7329TR
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
パッケージ 8-SO
株式 6506 pcs
データシート IRF7329IR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6506のInfineon Technologies IRF7329TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3450pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 57nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.2A
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF732

おすすめ商品

IRF7329TR データテーブルPDF

データシート

IRF7329TRに関連した語彙

IRF7329TR関連コンポーネント