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IRF7351PBF

工場モデル IRF7351PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
パッケージ 8-SO
株式 6647 pcs
データシート Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018IR Part Numbering SystemMult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2016
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6647のInfineon Technologies IRF7351PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 50µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 17.8mOhm @ 8A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1330pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 36nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF7351PBF

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IRF7351PBF データテーブルPDF

データシート

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