IRF7379PBF
工場モデル | IRF7379PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 6297 pcs |
データシート | IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
電力 - 最大 | 2.5W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 520pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.8A, 4.3A |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | IRF737 |
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