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IRF7326D2TRPBF

工場モデル IRF7326D2TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 231171 pcs
データシート IR Part Numbering SystemMultiple Devices 19/Jun/2012
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.272 $0.207 $0.172 $0.157 $0.152
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。231171のInfineon Technologies IRF7326D2TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ FETKY™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 1.8A, 10V
電力消費（最大） 2W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 440 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 25 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.6A (Ta)

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