IRF7341TRPBF
| 工場モデル | IRF7341TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 190485 pcs |
| データシート | Packing Material Update 16/Sep/2016Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.559 | $0.498 | $0.389 | $0.321 | $0.253 | $0.237 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 740pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.7A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRF734 |
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