NVD5863NLT4G
| 工場モデル | NVD5863NLT4G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK |
| パッケージ | DPAK |
| 株式 | 6836 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 16/Jul/2019Mult Dev EOL 20/Dec/2021onsemi RoHSReactivation 29/Aug/2018Mold Compound Revision 24/Apr/2015Mold Compound Update 25/Feb/2015NVD5863NL |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.1mOhm @ 41A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
| 基本製品番号 | NVD586 |
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