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NVD5862NT4G-VF01 Image
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NVD5862NT4G-VF01

工場モデル NVD5862NT4G-VF01
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
パッケージ DPAK
株式 117159 pcs
データシート NVD5862N
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500
$0.292
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのAMI Semiconductor / ON Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。117159のAMI Semiconductor / ON Semiconductor NVD5862NT4G-VF01の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.7 mOhm @ 48A, 10V
電力消費(最大) 4.1W (Ta), 115W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 NVD5862NT4G-VF01
NVD5862NT4G-VF01-ND
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 7 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6000pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 82nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 18A (Ta), 98A (Tc) 4.1W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Ta), 98A (Tc)

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NVD5862NT4G-VF01 データテーブルPDF

データシート