NVD5862NT4G-VF01
工場モデル | NVD5862NT4G-VF01 |
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メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
パッケージ | DPAK |
株式 | 117159 pcs |
データシート | NVD5862N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 |
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$0.292 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
電力消費(最大) | 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | NVD5862NT4G-VF01 NVD5862NT4G-VF01-ND |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
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水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 82nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 18A (Ta), 98A (Tc) 4.1W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Ta), 98A (Tc) |
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