NVD4856NT4G-VF01
工場モデル | NVD4856NT4G-VF01 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK |
パッケージ | DPAK-3 |
株式 | 4072 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 06/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTD4856N,NVD4856N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 1.33W (Ta), 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2241 pF @ 12 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13.3A (Ta), 89A (Tc) |
基本製品番号 | NVD4856 |
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