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NVD5117PLT4G-VF01 Image
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NVD5117PLT4G-VF01

工場モデル NVD5117PLT4G-VF01
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
パッケージ DPAK
株式 59524 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSMold Compound Revision 24/Apr/2015Mold Compound Update 25/Feb/2015NVD5117PL
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.109 $0.996 $0.801 $0.658 $0.545
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。59524のonsemi NVD5117PLT4G-VF01の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 29A, 10V
電力消費（最大） 4.1W (Ta), 118W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4800 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 85 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Ta), 61A (Tc)
基本製品番号 NVD5117

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データシート

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