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NVD5862NT4G

工場モデル NVD5862NT4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
パッケージ DPAK
株式 6080 pcs
データシート Mult Dev EOL 16/Jul/2019Mult Dev EOL 24/Jul/2019Mult Dev EOL 06/Oct/2021onsemi RoHSWafer Fab Capacity 27/Jul/2020Mold Compound Revision 24/Apr/2015Mold Compound Update 25/Feb/2015NVD5862N
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6080のonsemi NVD5862NT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.7mOhm @ 48A, 10V
電力消費（最大） 4.1W (Ta), 115W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6000 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 82 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Ta), 98A (Tc)
基本製品番号 NVD586

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