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NVD5802NT4G-VF01

工場モデル NVD5802NT4G-VF01
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
パッケージ DPAK
株式 3918 pcs
データシート Mult Dev EOL 07/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTD5802N, NVD5802N
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3918のonsemi NVD5802NT4G-VF01の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.4mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5300 pF @ 12 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 100 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16.4A (Ta), 101A (Tc)
基本製品番号 NVD5802

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