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NVD5805NT4G

工場モデル NVD5805NT4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
パッケージ DPAK
株式 4779 pcs
データシート N(T,V)D5805NMult Dev Eol 12/Jul/2018Mult Dev EOL 24/Jul/2019onsemi REACHonsemi RoHSReactivation 29/Aug/2018Mold Compound Revision 24/Apr/2015Mold Compound Update 25/Feb/2015G700HC to G700HF 24/Oct/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4779のonsemi NVD5805NT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.5mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 47W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1725 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 51A (Tc)
基本製品番号 NVD580

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データシート

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