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Infineon Technologies

IRLBD59N04ETRLP

工場モデル IRLBD59N04ETRLP
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
パッケージ TO-263-5
株式 3937 pcs
データシート IRLBD59N04EPart Number Guide
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3937のInfineon Technologies IRLBD59N04ETRLPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-5
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 18mOhm @ 35A, 10V
電力消費（最大） 130W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2190 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 50 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 59A (Tc)

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