IRLB4132PBF
工場モデル | IRLB4132PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 230296 pcs |
データシート | IRLB4132PbF~Part Number GuideMult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Lead Finish 28/May/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
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$0.387 | $0.346 | $0.269 | $0.223 | $0.176 | $0.164 | $0.156 | $0.15 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.5mOhm @ 40A, 10V |
電力消費(最大) | 140W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5110 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 54 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 78A (Tc) |
基本製品番号 | IRLB4132 |
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