IRLB4030PBF
工場モデル | IRLB4030PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 42636 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Label Chgs Aug/2020Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020Tube Label Chgs 20/May/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$1.803 | $1.619 | $1.326 | $1.129 | $0.952 | $0.905 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
電力消費(最大) | 370W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11360 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 130 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Tc) |
基本製品番号 | IRLB4030 |
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