Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRLB3036GPBF
IRLB3036GPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRLB3036GPBF

工場モデル IRLB3036GPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 5762 pcs
データシート IRLB3036GPbFPart Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 05/Nov/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5762のInfineon Technologies IRLB3036GPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.4mOhm @ 165A, 10V
電力消費（最大） 380W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 11210 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 140 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 195A (Tc)

おすすめ商品

IRLB3036GPBF データテーブルPDF

データシート

IRLB3036GPBFに関連した語彙

IRLB3036GPBF関連コンポーネント