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IRLD024PBF

工場モデル IRLD024PBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
パッケージ 4-HVMDIP
株式 145962 pcs
データシート IRLD024Mult Dev 01/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.718 $0.645 $0.518 $0.426 $0.353 $0.329 $0.316 $0.308
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。145962のVishay Siliconix IRLD024PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 4-HVMDIP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 1.5A, 5V
電力消費（最大） 1.3W (Ta)
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 870 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 18 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A (Ta)
基本製品番号 IRLD024

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データシート

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