IRLD110PBF
| 工場モデル | IRLD110PBF |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
| パッケージ | 4-HVMDIP |
| 株式 | 155586 pcs |
| データシート | IRLD110Mult Dev 01/Feb/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.679 | $0.611 | $0.491 | $0.403 | $0.334 | $0.311 | $0.3 | $0.292 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。155586のVishay Siliconix IRLD110PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 540mOhm @ 600mA, 5V |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) |
| 基本製品番号 | IRLD110 |
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