IRF6720S2TR1PBF
工場モデル | IRF6720S2TR1PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET |
パッケージ | DirectFET™ Isometric S1 |
株式 | 6177 pcs |
データシート | IRF6720S2TR(1)PBFGen 10.x Products 12/Dec/2012IR Part Numbering System |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 25µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric S1 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S1 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1140 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Ta), 35A (Tc) |
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