IRF6775MTRPBF
工場モデル | IRF6775MTRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
パッケージ | DIRECTFET™ MZ |
株式 | 86768 pcs |
データシート | Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015MSL Update 20/Feb/2014Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.946 | $0.85 | $0.683 | $0.561 | $0.465 | $0.433 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MZ |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 56mOhm @ 5.6A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MZ |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1411 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
基本製品番号 | IRF6775 |
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