IRF6723M2DTR1P
| 工場モデル | IRF6723M2DTR1P |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET |
| パッケージ | DIRECTFET™ MA |
| 株式 | 4453 pcs |
| データシート | IRF6723M2DTR(1)PbFMultiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MA |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.6mOhm @ 15A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2.7W |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1380pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRF6723 |
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