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Infineon Technologies

IRF6710S2TR1PBF

工場モデル IRF6710S2TR1PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
パッケージ DirectFET™ Isometric S1
株式 6195 pcs
データシート Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6195のInfineon Technologies IRF6710S2TR1PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 25µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DirectFET™ Isometric S1
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.9mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta), 15W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric S1
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1190 pF @ 13 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta), 37A (Tc)

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