Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF6727MTRPBF
Infineon Technologies

IRF6727MTRPBF

工場モデル IRF6727MTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
パッケージ DIRECTFET™ MX
株式 83872 pcs
データシート Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015MSL Update 20/Feb/2014Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$1.115 $1.003 $0.806 $0.662 $0.549 $0.511
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。83872のInfineon Technologies IRF6727MTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MX
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.7mOhm @ 32A, 10V
電力消費（最大） 2.8W (Ta), 89W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MX
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6190 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 74 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 32A (Ta), 180A (Tc)
基本製品番号 IRF6727

おすすめ商品

IRF6727MTRPBF データテーブルPDF

データシート

IRF6727MTRPBFに関連した語彙

IRF6727MTRPBF関連コンポーネント