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Infineon Technologies

IRF6711STR1PBF

工場モデル IRF6711STR1PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
パッケージ DIRECTFET™ SQ
株式 5589 pcs
データシート Multiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013MSL Update 20/Feb/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5589のInfineon Technologies IRF6711STR1PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 25µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ SQ
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.8mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 2.2W (Ta), 42W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric SQ
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1810 pF @ 13 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 19A (Ta), 84A (Tc)

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