Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF1010EZPBF

工場モデル IRF1010EZPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 190235 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Packing Material Update 16/Sep/2016IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.64 $0.573 $0.447 $0.369 $0.291 $0.272 $0.258 $0.249
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。190235のInfineon Technologies IRF1010EZPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5mOhm @ 51A, 10V
電力消費（最大） 140W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2810 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 86 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)
基本製品番号 IRF1010

おすすめ商品

IRF1010EZPBF データテーブルPDF

データシート

IRF1010EZPBFに関連した語彙

IRF1010EZPBF関連コンポーネント