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IRF1010EPBF

工場モデル IRF1010EPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 148217 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Packing Material Update 16/Sep/2016IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.628 $0.565 $0.455 $0.374 $0.309 $0.288 $0.277 $0.267
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。148217のInfineon Technologies IRF1010EPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 12mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3210 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 130 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 84A (Tc)
基本製品番号 IRF1010

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データシート

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